Periodo d’oro per lo storage “made in Samsung”: la casa coreana, dopo aver presentato lo scorso Gennaio le prime memorie SSD incentrate sulla tecnologia V-NAND a 64 layer destinate al mondo server, mobile e PC, incrementa la disponibilità dei nuovi chip da 256 Gbit per far fronte ad una richiesta sempre più pressante, che va di pari passo con la crescente diffusione di dispositivi tecnologici dinamici più che mai.
Samsung V-NAND a 64 layer evolve quindi dall’essere una tecnologia utilizzata principalmente per la creazione di SSD di ultima generazione ad un sistema pratico dedicato alla produzione di memorie UFS (Universal Flash Storage), le classiche memory card utilizzate in dispositivi quali smartphone, fotocamere digitali e gadget smart, e naturalmente SSD next-gen.
L’obiettivo è di rispondere nella maniera più efficiente alla domanda da parte degli OEM, con memorie ad alta capacità, performance e densità. Nello specifico, la nuova tecnologia Samsung V-NAND permette la memorizzazione di 3 bit/cella, velocità di I/O di 1 Gbps e un incremento di prestazioni di circa il 30% rispetto al predecessore da 48 layer, permettendo di stabilire inoltre un record tra tutte le memorie NAND, aumentando il coefficiente di affidabilità del 20% riducendo il possibile data loss.
Creare le nuove Samsung V-NAND di quarta generazione è stato un obiettivo tutt’altro che facile per la casa coreana, tuttavia “l’avvento dell’era del terabit e delle memorie di massa con capacità esponenziali” motiverà il brand alla creazione di nuove V-NAND di quinta generazione con ben oltre 90 layer capaci di incrementare l’omogeneità della memorizzazione su storage e un tempo di accesso ai dati minimo.
Samsung V-NAND, detto questo, potrebbe rivelarsi una delle tecnologie proprietarie essenziali per l’evoluzione dello storage del futuro, e non solo dal punto di vista degli SSD: gli ultimi avanzamenti permetteranno di coprire un vastissimo numero di dispositivi tecnologici che richiedono memorie evolute di pari passo con il resto dei componenti hardware.