Una memoria DRAM DDR5 da 16 gigabit sviluppata per la prima volta con un processo produttivo a 12 nm. La novità ufficializzata da Samsung sta già riscuotendo molti consensi, dato che questa memoria dovrebbe consentire di avere un eccellente rapporto tra il livello prestazionale e i consumi. Un vantaggio che deriverà soprattutto dall’utilizzo di un nuovo materiale ad alto k che aumenterà la capacità elettrica delle celle, ma anche da una tecnologia di progettazione della stessa azienda sudcoreana che garantirà un miglioramento delle caratteristiche critiche del circuito.
La nuova DRAM, secondo Samsung, rappresenterà quindi una base per operazioni maggiormente sostenibili in ambiti come l’informatica di nuova generazione, i data center e i sistemi basati sull’IA. La peculiarità di questa nuova memoria DRAM DDR5 da 16 gigabit è senz’altro la capacità di raggiungere velocità fino a 7,2 gigabit al secondo, ma non si può non sottolineare anche la riduzione di circa il 23% del consumo energetico rispetto alla DRAM precedente.
La compatibilità con AMD di questa nuova memoria di Samsung viene salutata con grande soddisfazione anche dal Senior VP, Corporate Fellow e Client, Compute and Graphics CTO dell’azienda, Joe Macri, che ha evidenziato come l’innovazione richieda questa tipologia di collaborazioni. La produzione di massa delle nuove memorie della società di Seul dovrebbe cominciare il prossimo anno e poi raggiungere più segmenti del mercato tecnologico.