Samsung sembra essere decisamente pronta ad un grande passo in avanti per quanto riguarda i processi produttivi che portano alla creazione delle CPU mobile, al cuore dei nostri top di gamma preferiti. La casa coreana ha recentemente rivelato una nuova roadmap alla convention americana Foundry Forum, che prende in considerazione l’evoluzione dell’architettura delle CPU mobile da oggi fino al 2022, anno in cui potrebbero debuttare le più avanzate tecnologie a 3 nanometri.
Si tratta di un avanzamento tecnologico non indifferente, considerando che l’architettura 7 nanometri “Low Power Plus” realizzata con tecniche di litografia ultravioletta avanzata è recentissima (Samsung ne pianifica il lancio entro l’anno), e che i 5 nanometri “Low Power Early” sono previsti per il debutto entro il 2019. Lo step più innovativo della roadmap ufficiale è costituito dalla nuova architettura “Gate-All-Around Early/Plus“, che permetterà la creazione di chipset molto più piccoli ed efficienti entro i prossimi 4 anni.
Il processo produttivo a 3 nanometri proposto da Samsung è incentrato quasi completamente su una soluzione proprietaria, nota come GAA (Gate All-Around), un punto chiave della architettura MBCFET (Multi-Bridge-CHannel FET), evoluzione della più tradizionale MOSFET utilizzata durante la produzione di processori più “convenzionali”. Durante l’evento, il colosso coreano ha comunque specificato che ci saranno altri traguardi intermedi da raggiungere, tra cui non mancano i 4 nanometri (processo produttivo Low Power Early/Plus), che vedranno la luce entro il 2020.
Ricordiamo infine che oltre alla roadmap ufficiale, ci aspettiamo anche novità in merito a Snapdragon 855, un altro futuro cavallo di battaglia del mondo CPU mobile: il chipset a 7 nanometri, secondo alcuni leak in circolazione da diversi mesi, verrà molto probabilmente prodotto da Samsung, anche se per il momento “tutto tace” in Corea.
